Transistor NPN de RF / 2-30 MHz / 12.5 Vcc / 12.5 W / Encapsulado 211-07
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Lo que tienes que saber de este producto
- Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
- Frecuencia de operación de 2 a 30 MHz
- Potencia máxima de 12.5 Watts
- Voltaje colector-emisor de 12.5 VCC
- Encapsulado estándar 211-07 para fácil montaje
- Diseñado para alta eficiencia en RF
Descripción
Transistor de Silicio NPN, 2-30 MHz, 12.5 Vcc, 12.5 Watt, 211-07.
Descargas
Especificaciones técnicas
| Peso | - kg |
|---|---|
| Modelo | MRF433 |
| Clave SAT | 32111607 |
| Garantía | 3 años |
| Dimensiones (alto × ancho × largo) | 1 × 2 × 3 cm |
| Descripción SAT | Transistores bipolares de radiofrecuencia (rf) o darlington |
| Unidad de medida | Pieza |
Descripción detallada
Características Principales
- Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
- Frecuencia de operación entre 2 y 30 MHz
- Manejo de potencia hasta 12.5 Watts
- Voltaje de colector-emisor hasta 12.5 VCC
- Encapsulado estándar 211-07 para fácil montaje
Especificaciones Técnicas
- Tipo: Transistor de Silicio NPN
- Rango de Frecuencia: 2-30 MHz
- Voltaje: 12.5 Vcc
- Potencia: 12.5 Watt
- Encapsulado: 211-07
