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MOSFET de potencia / Canal N / 50 A / 60 V / TO-220AB / Proceso MegaFET

MOSFET de potencia / Canal N / 50 A / 60 V / TO-220AB / Proceso MegaFET

$82.19

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Lo que tienes que saber de este producto

  • Tecnología MEGAFET para rendimiento superior
  • Optimización del silicio con proceso similar a LSI
  • Diseñado para reguladores y convertidores de conmutación
  • Compatible con controladores de motores y relés
  • Operación directa desde circuitos integrados
  • Corriente de drenaje de 50 A, 60 V

Descripción

MOSFET de potencia de canal N de 50 A, 60 V, TO-220AB

Especificaciones técnicas

Peso0.01 kg
Modelo50-N-06
Clave SAT32111602
Garantía3 años
Dimensiones (alto × ancho × largo)- × - × - cm
Descripción SATTransistor de efecto de campo (fet)
Unidad de medidaPieza

Descripción detallada

Los MOSFET de potencia de canal N se fabrican mediante el proceso MegaFET. Este proceso, que utiliza tamaños de características similares a los de los circuitos integrados LSI, ofrece una utilización óptima del silicio, lo que se traduce en un rendimiento excepcional. Se han diseñado para su uso en aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores y controladores de relés. Estos transistores pueden funcionar directamente desde circuitos integrados.